蓝跃龙,王宇,郑少梅,赵程

• 1:青岛科技大学机电工程学院表面技术研究所

摘要(Abstract)：

研究了活性屏离子渗氮技术中,气体成分、主电压、温度、压强以及笼子尺寸对偏压伏安特性曲线的影响,并用气体放电理论对曲线做出了解释。实验结果表明,在H2或N2/H2气氛中,偏压的伏安特性曲线呈线性增长;而在纯N2气氛中,偏压的伏安特性曲线则呈非线性,并在250 V时出现拐点。研究还发现,在偏压一定的情况下,偏流会随着主电压和气压的升高而增大,随着温度的升高而减小,而笼子尺寸对偏压的伏安特性曲线的影响比较小。

关键词(KeyWords)： 活性屏离子渗氮;主电压;偏压伏安特性

Abstract:

Keywords:

基金项目(Foundation): 山东省自然科学基金项目(ZR2010EM018);;

作者(Author): 蓝跃龙,王宇,郑少梅,赵程

DOI: 10.13289/j.issn.1009-6264.2012.02.030

参考文献(References)：

• [1]Georges J.Nitriding process and nitriding furnace therefor:US Patent 5,989,363[P].1999.
• [2]邵周俊.参加第15届国际热处理与表面工程会及技术考察报告[J].金属热处理,2007,32(2):105-106.Shao Zhou-jun.Attending of the 15th international heat treatment and surface engineering conference and technical study report[J].Heat Treatment ofMetals,2007,32(2):105-106.
• [3]赵程.活性屏离子渗氮技术的研究[J].金属热处理,2004,29(3):1-4.Zhao Cheng.Study of active screen plasma nitriding technology[J].Heat Treatment of Metals,2004,29(3):1-4.
• [4]Alves Jr C,Aranio F O de,Ribeiro K J B,et al.Use of cathodic cage in plasma nitriding[J].Surface and Coatings Technology,2006,201(6):2450-2454.
• [5]Akio Nishmoto,Kimiaki Nagatsuka,Ryota Narita,et al.Effect of the distance between screen and sample on active screen plasma nitriding properties[J].Surface and Coatings Technology,2010,205(S1):S365-368.
• [6]刘基凯.保温式多功能离子化学热处理装置和工艺研究[D].青岛:青岛科技大学,2008:91-102.
• [7]Paul Hubbard.Characterisation of a commercial active screen plasma nitriding system[D].RMIT University,Melbourne,2007:31-47.
• [8]陈宗柱,高树香.气体导电[M].南京:南京工学院出版社,1988.
• [9]胡孝勇.气体放电及其等离子体[M].哈尔滨:哈尔滨工业大学出版社,1994.

文章评论(Comment)：