材料热处理学报

2017, v.38;No.200(02) 173-177+190

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电子束退火法制备MgB2薄膜的温度场模拟
Temperature field simulation of MgB2 thin film annealed by electron beam

李艳丽,许壮,张雪娜,李晓娜,孔祥东,韩立

摘要(Abstract):

利用ANSYS软件模拟电子束退火MgB_2薄膜过程的温度场分布,退火样品与样品台之间的接触热阻对退火温度影响很大,且此接触热阻会随退火参数(电子束能量和退火时间)发生变化,这给模拟工作带来很大困难。本文先通过热阻串联对样品进行等效简化,再利用热传导近似计算把接触热阻的效应等效在样品模型中,并将接触热阻随退火参数的变化转化为电子束能量转化效率的变化,得到修正后的热源模型,仿真所得温度值与实测温度值基本相符,这为电子束退火制备薄膜材料的研究提供了温度参考。

关键词(KeyWords): ANSYS;电子束退火;薄膜;温度场;模拟

Abstract:

Keywords:

基金项目(Foundation): 国家自然科学基金(51177160,51307162)

作者(Author): 李艳丽,许壮,张雪娜,李晓娜,孔祥东,韩立

DOI: 10.13289/j.issn.1009-6264.2017.02.028

参考文献(References):

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