何宏辉,曾庆圣,王天石,霍天成,何劼,杜建成

• 1:北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室低能核物理研究所材料科学与工程系
• 2:北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室低能核物理研究所材料科学与工程系
• 3:北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室低能核物理研究所材料科学与工程系
• 4:北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室低能核物理研究所材料科学与工程系

摘要(Abstract)：

研究了AZ31镁合金在不同电压条件下的成膜效果,着重研究了在固定正电压而改变负电压的情况下的成膜厚度、致密度、耐腐蚀性能等差别,讨论了负电压在成膜过程中的作用,并且比较了在不同的溶液体系中负电压对于成膜性能以及二次放电现象的影响。结果表明:较低的负电压能在一定程度上促进氧化膜的生长,使致密的氧化层变厚,提高膜的性能。而高负电压会加速成膜速度并导致较为剧烈的二次放电现象,使膜的致密性降低,从而降低膜的性能。

关键词(KeyWords)： 镁合金;微弧氧化;负电压

Abstract:

Keywords:

基金项目(Foundation):

作者(Author): 何宏辉,曾庆圣,王天石,霍天成,何劼,杜建成

参考文献(References)：

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