脉冲偏压对真空电弧沉积TiN薄膜组织与性能的影响Influence of Pulse Bias Voltage on Microstructure and Properties of TiN Films Deposited by Vacuum Arc
曾鹏,胡社军,谢光荣,黄拿灿,吴起白
摘要(Abstract):
研究了脉冲偏压对真空电弧沉积TiN薄膜组织与性能的影响。结果表明脉冲偏压幅值在50 0~ 1 70 0V ,脉宽比在 1 2 5~ 2 5的范围内 ,沉积温度低于 2 50℃时膜层组织主要由Ti2 N和TiN相构成 ,随脉冲偏压幅值和脉宽比的增大 ,晶面的择尤沉积由Ti2 N( 2 0 0 )向 ( 0 0 2 )转变 ,柱状晶生长程度减弱。膜层具有较高的显微硬度和耐磨性 ,但在过高的脉冲偏压和脉宽比的沉积条件下 ,膜层的性能有下降的趋势。
关键词(KeyWords): 脉冲偏压;真空电弧沉积;TiN薄膜;组织性能
基金项目(Foundation): 广东省高教厅基金项目 ( 970 0 32 )
作者(Author): 曾鹏,胡社军,谢光荣,黄拿灿,吴起白
参考文献(References):
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- 6 谢光荣,胡社军,黎炳雄.多弧离子镀膜机(Bulat6)性能分析和工艺参数研究[J].广东机械学院学报,1997,2:14.
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