张艳,许并社

• 1:太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室
• 2:太原理工大学材料科学与工程学院

摘要(Abstract)：

以三氧化铬(CrO3)与石墨为原料,利用真空热处理方法制备了三氧化二铬(Cr2O3)-石墨的插层化合物(GICs)。运用X射线衍射(XRD)分析石墨插层化合物。结果表明:经热处理后,在1400℃时CrO3与石墨(石墨∶CrO3=1∶1)与形成了纯5阶的石墨的插层化合物。XRD分析表明,对网状层面结构的天然石墨,可以利用真空热处理的方法使一些非碳反应物(Cr2O3)插入石墨层间,从而改变石墨的层面结构。X射线光电子能谱(XPS)分析和表征了Cr离子以3价的形式存在于石墨插层化合物中。

关键词(KeyWords)： 真空热处理;石墨;CrO3;插层;XRD;XPS

Abstract:

Keywords:

基金项目(Foundation): 国家“973”项目(2004CB217808);; 国家自然科学基金项目(90306014、20471041);; 山西省自然科学基金(2006021020)

作者(Author): 张艳,许并社

DOI: 10.13289/j.issn.1009-6264.2011.s1.005

参考文献(References)：

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