沈复初，叶必光，郦剑，毛志远，甘正浩，晋圣发

• 1:浙江大学

摘要(Abstract)：

对铜在含硅气氛中低温沉积、随后进行扩散处理的表面化学热处理进行了研究。使用光学显微镜、Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）仪、电子探针（ＥＰＭＡ）等对渗层进行了显微硬度、成分和结构分析，探讨了工艺参数对渗层的影响。研究结果表明，通过这种表面化学热处理可以在铜表面形成Ｃｕ５Ｓｉ和Ｃｕ１５Ｓｉ４，其硬度较基体有很大提高。

关键词(KeyWords)： 表面改性，低温沉积，化学热处理，铜－硅化合物

Abstract:

Keywords:

基金项目(Foundation): 国家自然科学基金

作者(Author): 沈复初，叶必光，郦剑，毛志远，甘正浩，晋圣发

参考文献(References)：

• 1CabreraAL，KirnerJF，ArmorJN．JMater，Res．，1991，6（1）：712CabreraAL，KirnerJ．F，PlerantozziR．J．Mater．Res．，1990，5（1）：743HymesS，MurarkaSP，ShepardC，LanfordWA，J．Appl．Phys，1990，71（9）4国外半导体材料硅。上海科学技术情报研究所编，1970，25SmithellsCJ．MetalsReferenceBook．Butterworth＆Co（Publishers）Ltd．，1976，5926HongSQ，etal．JAppl．Phys，1991，70（7）：36557周如松等。金属物理（下册）。北京：高等教育出版社，1992．9

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