退火工艺对低压铝箔氧化膜和比电容的影响Effect of annealing technology on oxide film and specific capacity of aluminum foils for low voltage electrolytic capacitors
吕亚平,毛卫民,何业东,杨宏
摘要(Abstract):
纯度99.988%的铝箔在300,400和500℃分别进行0.5,1和2h真空退火,然后利用电容法,间接测出退火箔的氧化膜厚度。用扫描电子显微镜观察部分退火箔的腐蚀形貌,测出相应的比电容。结果表明,在400℃退火时,铝箔的氧化膜厚度最小,300℃居中,500℃最大。在300℃退火时,随着保温时间的延长,铝箔的氧化膜厚度减小;而在400℃和500℃退火时,氧化膜厚度增大。500℃退火的铝箔,表面微量元素的分布接近于平衡状态,分布较均匀,铝箔表面腐蚀孔坑较细小,蚀坑密度大,比电容较高。而低温退火的箔样,微量元素偏聚在铝箔表面的位错露头附近,使铝箔表面出现大量的腐蚀孔坑,降低了比电容。
关键词(KeyWords): 铝箔;氧化膜;腐蚀;扩散
基金项目(Foundation): 国家自然科学基金(50571020);; 教育部博士点基金(20040008010)
作者(Author): 吕亚平,毛卫民,何业东,杨宏
参考文献(References):
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