材料热处理学报

2001, (03) 62-66

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脉冲偏压对真空电弧沉积TiN薄膜组织与性能的影响
Influence of Pulse Bias Voltage on Microstructure and Properties of TiN Films Deposited by Vacuum Arc

曾鹏,胡社军,谢光荣,黄拿灿,吴起白

摘要(Abstract):

研究了脉冲偏压对真空电弧沉积TiN薄膜组织与性能的影响。结果表明脉冲偏压幅值在50 0~ 1 70 0V ,脉宽比在 1 2 5~ 2 5的范围内 ,沉积温度低于 2 50℃时膜层组织主要由Ti2 N和TiN相构成 ,随脉冲偏压幅值和脉宽比的增大 ,晶面的择尤沉积由Ti2 N( 2 0 0 )向 ( 0 0 2 )转变 ,柱状晶生长程度减弱。膜层具有较高的显微硬度和耐磨性 ,但在过高的脉冲偏压和脉宽比的沉积条件下 ,膜层的性能有下降的趋势。

关键词(KeyWords): 脉冲偏压;真空电弧沉积;TiN薄膜;组织性能

Abstract:

Keywords:

基金项目(Foundation): 广东省高教厅基金项目 ( 970 0 32 )

作者(Author): 曾鹏,胡社军,谢光荣,黄拿灿,吴起白

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