多晶硅薄膜的工艺研究Research on Technology for Polycrystalline Silicon Film
王军,祁康成,成建波
摘要(Abstract)：
研究了制备性能优良非晶硅薄膜的工艺参数 ,对薄膜进行高温退火得到多晶硅薄膜。用X射线衍射仪 (XRD)和扫描电镜 (SEM)观察薄膜的结晶情况以及晶粒的大小。结果表明 :退火温度越高 ,退火时间越长 ,得到多晶硅薄膜的比例越高 ,晶粒也相对较大 ;薄膜在 (111)方向上优先结晶 ,晶粒大小可以达到 1μm ,与理论值做了比较
关键词(KeyWords)： 多晶硅;薄膜;等离子体增强化学气相沉积(PECVD);退火
基金项目(Foundation): 电子科技大学青年基金 (YF0 50 3)
作者(Author): 王军,祁康成,成建波
参考文献(References)：
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